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(continued)
1.2
1.1
1.0
Fig 7. Breakdown Voltage vs. Temperature
2.0
1.5
1.0
Fig 8. On-Resistance vs. Temperature
2. = 250 μ A
0.9
@ Notes :
1. GS = 0 V
D
0.5
@ Notes :
1.V GS = 5 V
2.I D = 9 A
0.8
-75
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
175
0.0
-75
-50
-25
0
25
5 0
7 5
1 00
125
150
175
T , Junction Temperature [ o C]
J
Fig 9. Max. Safe Operating Area
Operation in This Area
T J , Junction Temperature [ o C]
Fig 10. Max. Drain Current vs. Case Temperature
20
10 2
is Limited by R DS(on)
1 ms
100 μ s
15
10 1
DC
10 ms
10
@ Notes :
10 0
1.
2.
C
J
= 25 o C
= 150 o C
5
3. Si gle Pulse
10 - 1 0
10
2
10 10
V , Drain-Source Voltage [V]
DS
0
25
5 0
75 1 00
T , Case Temperature [ o C]
c
125
150
Fig 11. Thermal Response
10 0
D=0.5
@ Notess
0.2
1. Z θ J C (t)=1.14 o C/W Max.
3. T J M -T C =P D M *Z
10 - 1
0.1
0.05
2. Duty Factor, D=t 1 /t 2
(t)
θ JC
P DM
0.02
0.01
single pulse
t 1
t 2
10 - 2 - 5
10
10 - 4
10 - 3
10 - 2
10 - 1
10 0
10 1
?1999 Fairchild Semiconductor Corporation
IRL640A Rev. C0
t
1
, Square Wave Pulse Duration
4
[sec]
www.fairchildsemi.com
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IRL640S 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IRL640SPBF 功能描述:MOSFET N-Chan 200V 17 Amp RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
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